Konzentration der Spitzenforschung an einem Standort (Dresden) für Chiplet-Design, heterogene Systemintegration, Test und Zuverlässigkeit
Gemeinsame Ressourcen von den drei Instituten Fraunhofer IIS, IZM und ENAS sowie weiterer Partner aus der FuE-Kooperation »Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland (FMD)«
Startteam von 10-15 Experten, das in den nächsten Jahren ausgebaut werden soll
Hervorragende Laborinfrastruktur und Zugang zu den umfangreichen technologischen Möglichkeiten der FMD-Kooperation:
200 / 300 mm 3D-Wafer-Level-Prozesslinie (ISO 9001-15) mit Modulen für:
Si- oder Glas-Brücke/Interposer
RDL-Bildung mit hoher Dichte (1-2 µm Linie/Raum, Via-Durchmesser 6 µm)
TSV/TGV-Herstellung (AR > 10)
Vormontage (Ausdünnung, Vereinzelung)
Montage auf Wafer-Ebene
Stapelbildung
600 mm Substratlinie
RDL-Bildung mit hoher Dichte (5 µm Linien/Abstände)
Organische oder Glaskern-Interposer
Einbettung von Komponenten
Realisierung auf Systemebene einschließlich Montage auf Leiterplattenebene
Kühlung und abschließende Verkapselung
In-Chip-Überwachungsstrukturen für Kontroll- und Zuverlässigkeitsmessungen
Leistungsstarke Messgeräte für Wafer- und Gehäuseebene bis zu 110 GHz
Chipdesign in Spitzenqualität z.B. 5 nm / 14 nm Samsung, 16 nm Intel, 16 nm TSMC, 22 nm Globalfoundries
Synthese, Simulation, Verifizierung auf der Grundlage von Fakten